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850nm單模VCSEL激光器TO46（帶TEC）2mW Philips借經過優化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩定性。

850nm單模VCSEL激光器TO46（不帶TEC）2mW 產品總覽 Philips借經過優化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩定性。

850±10nm單模VCSEL激光器(帶TEC) 1mW 產品總覽 Philips借經過優化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩定性。

760nm單模垂直腔面發射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護.

1567nm VCSEL垂直腔面發射激光器 1.0mW 產品總覽 垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。