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IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X3.0mm(晶體/棱鏡
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截止波長(zhǎng)1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
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GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC(連接器/光纖束/光纜)
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S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器
product
產(chǎn)品分類銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (12MHz) 銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。
更新時(shí)間:2024-12-05
產(chǎn)品型號(hào):
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銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm 應(yīng)用領(lǐng)域: 分布式光纖傳感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá) 光學(xué)相干層析 其他應(yīng)用
更新時(shí)間:2024-12-05
產(chǎn)品型號(hào):XBD-200M-60K-A
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InGaAs 光電平衡探測(cè)器 MBD-100M-A 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。
更新時(shí)間:2025-09-04
產(chǎn)品型號(hào):MBD-100M-A.
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InAs 紅外光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 2-5.5um PVA-2TE系列是基于InAs1-xSbx合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
更新時(shí)間:2026-06-02
產(chǎn)品型號(hào):
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10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光電探測(cè)器 InGaAs PIN高速光探測(cè)器陣列芯片
更新時(shí)間:2025-11-10
產(chǎn)品型號(hào):
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